紅外平面探測(cè)器是熱成像系統(tǒng)的核心部件，廣泛應(yīng)用于電力、鐵路、石化、安全、醫(yī)療等領(lǐng)域。紅外平面探測(cè)器分為制冷紅外平面探測(cè)器和非制冷紅外平面探測(cè)器。熱敏元件是紅外探測(cè)器的核心部件，是接收紅外輻射和輸出信號(hào)的橋梁。非制冷紅外平面探測(cè)器的熱敏元件主要是氧化釩和多晶硅。氧化釩和多晶硅有什么區(qū)別?

　　一、氧化釩和多晶硅的相同之處。

　　1.相同類(lèi)型的薄膜。

　　氧化釩膜和非晶硅膜均為半導(dǎo)體熱敏膜，其電阻溫度系數(shù)TCR與電阻率成正比。

　　2.是生產(chǎn)工藝相同。

　　微測(cè)量輻射熱計(jì)技術(shù)與CMOS工藝兼容，可以與CMOS讀取電路集成，可以基于半導(dǎo)體制造技術(shù)的大規(guī)模生產(chǎn)是非制冷紅外焦平面探測(cè)器的主要技術(shù)。

　　二、氧化釩和多晶硅之間的區(qū)別。

　　1.成像原理不同。

　　氧化釩探測(cè)器的像元是正確的溫度，多晶硅薄膜由于材料的生長(zhǎng)特性對(duì)溫度的變化不敏感，但隨著軟件算法的發(fā)展，可以通過(guò)圖像算法程序進(jìn)行一定程度的補(bǔ)充。用圖像算法將N*N(N≥2)像元的平均溫度作為測(cè)溫值，在附近區(qū)域提供模擬的人工數(shù)值。近距離觀察時(shí)正確，遠(yuǎn)距離觀察時(shí)，一個(gè)物體只有幾個(gè)像元，常常無(wú)法識(shí)別或分析結(jié)果錯(cuò)誤。

　　2.薄膜性能指標(biāo)不同。

　　在相同的電阻條件下，氧化釩膜TCR優(yōu)于多晶硅膜;在相同的TCR條件下，多晶硅膜的1/f噪聲系數(shù)高于氧化釩膜的2個(gè)數(shù)量級(jí)，這在很大程度上限制了基于多晶硅膜的探測(cè)器的固有靈敏度和固定圖形噪聲，隨著像元尺寸的縮小，這種限制會(huì)越來(lái)越明顯。

　　3.技術(shù)指標(biāo)不同。

　　氧化釩探測(cè)器的熱敏度可達(dá)20~30mk，多晶硅探測(cè)器的靈敏度一般在50~60mk之間。多晶硅殘余固定圖形噪，高于氧化釩的數(shù)量級(jí)以上，具體表現(xiàn)為圖像有蒙紗感，紅外線圖像感覺(jué)不夠透明。

　　氧化釩和多晶硅探測(cè)器的性能各不相同，各有優(yōu)點(diǎn)，隨著紅外技術(shù)的進(jìn)步，探測(cè)器的性能得到了更好的優(yōu)化。目前，一般重點(diǎn)是成像型選擇氧化釩，重點(diǎn)是測(cè)溫精度選擇多晶硅(同樣條件下，非制冷紅外熱像儀)

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